了解半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀的原理

【資料簡(jiǎn)介】

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 
一、產(chǎn)品特點(diǎn)： 
測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力。測(cè)試儀由計(jì)算機(jī)操控，測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)打印。除具有點(diǎn)測(cè)試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指標(biāo)及國標(biāo)要求。 
二、測(cè)試參數(shù) 
1． 二管       
VF、IR、BVR 
2．  穩(wěn)壓（齊納）二管    
VF、IR、BV Z 
3．  晶體管       Transistor（NPN型/PNP型） 
      VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON 
4．   可控硅整流器（晶閘管）    
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM  
5．  場(chǎng)效應(yīng)管    
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS 


6．  光電耦合器        
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT 
*7．三端穩(wěn)壓器 
VO、SV、ID、IDV

三、測(cè)試參數(shù)范圍

晶體管

 

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
ICEO ICBO IEBO	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VCE(sat) VBE(sat)	0.10V-30V
VBE(VBE(on))	0.10V-30V
hFE	1－99999
V(BR)EBO	0.10V-30V
V(BR)CEO V(BR)CBO	0.       10V-50V 50V-1499V

 

二管

 

 

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
IR	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VF	0.10V-30V
V(BR)	1V-50V
	50V-1499V

 

穩(wěn)壓二管

 

 

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
IR	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VF	0.10V-30V
VZ	0.10V-50V

 

三端穩(wěn)壓器

 

 

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
VO	0.10V-30V
SV	0.10mV-1V
ID	1uA-10mA
IDV	1uA-10mA

 

MOSFET

 

 

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
VGS(th)	0.10V-30V
gfs	0.1mS-1000S
RDS(on)	10mΩ-100KΩ
VDS(on)	0.10V-50V
IGSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
IDSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
ID(on)	0-50A
V(BR)GSS	0.1V-30V
V(BR)DSS	0.1V-1499V